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    A comparative study of selective carbon doping in MOCVD GaAs using trimethylarsenic and arsine
    Moon, Hyukju J. ; Stoebe, Thomas G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1351-1355
    Online academicJournal
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    Mass spectroscopy study of GaN metalorganic chemical vapor deposition.
    Pakk, Yongjo ; Pavlidis, Dimitris
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-01), Heft 9, S. 1554-1560
    Online academicJournal
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    Growth of GaAs by vacuum atomic layer epitaxy using tertiarybutylarsine.
    Jow, Ming ; Maa, Bang ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995), Heft 1, S. 25-29
    Online academicJournal
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    Adjusting trimethylgallium injection time to explore atomic layer epitaxy of GaAs between 425 and 500°C by organometallic vapor phase epitaxy.
    Wang, C. ; Tracy, D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-02-01), Heft 2, S. 185-189
    Online academicJournal
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    RHEED and XPS observations of trimethylgallium adsorption on GaAs (001) surfaces-Relevance to atomic layer epitaxy.
    Maa, B. ; Dapkus, P.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-01), Heft 4, S. 289-294
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    Investigations on low temperature mo-cvd growth of GaAs.
    Kräutle, H. ; Roehle, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 12 (1983), Heft 1, S. 215-222
    Online academicJournal
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    Low pressure and low temperature gallium arsenide homoepitaxy employing in-situ generated arsine.
    Pihlstrom, B. ; Sheng, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 277-279
    Online academicJournal
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    Intentional ρ-type doping by carbon in metalorganic MBE of GaAs.
    Weyers, M. ; Pütz, N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-03-01), Heft 2, S. 57-59
    Online academicJournal
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    Alternative boron precursors for BGaAs epitaxy.
    Geisz, J. ; Friedman, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-11-01), Heft 11, S. 1387-1391
    Online academicJournal
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    High C-doping of MOVPE grown thin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices.
    Dimroth, F. ; Schubert, U. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 47-52
    Online academicJournal
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    Dopant incorporation in GaAs and AlGaAs grown by MOMBE for high speed devices.
    Abernathy, C. ; Ren, F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 323-327
    Online academicJournal
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    Selective area growth of GaAs with semiconductor-metal-semiconductor structures using pulsed-mode operation of MOCVD.
    Hong, Chang-Hee ; Kim, Chang-Tae ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-10-01), Heft 10, S. 1141-1144
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    Properties of gaas:si epitaxial layers grown in a multiwafer MOCVD reactor.
    Kanber, H. ; Zielinski, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985-11-01), Heft 6, S. 769-781
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    High C-doping of MOVPE grown thin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices
    Dimroth, F. ; Schubert, U. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 47-52
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