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    Monte Carlo Simulation Of Silicon Devices
    Lee, C.H. ; Ravaioli, U.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 36-39
    Online Konferenz
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    Multipole Accelerated 3-D Interconnect Analysis
    Nabors, K. ; Karnon, M. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 72-75
    Online Konferenz
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    Energy Broadening Associated With Finite Collision Duration In Hot Carrier Transport In Semiconductors
    Sano, N.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 162-165
    Online Konferenz
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    Algorithms And TCAD Software Using Parallel Computation
    Dutton, R.W.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 10-12
    Online Konferenz
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    A New Hydrodynamic Model For High Energy Tail Electrons
    Ahn, Jae-gyung ; Park, Young-june ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 28-29
    Online Konferenz
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    Algorithms For Drift-diff-usion Device Simulation Using Massively Parallel Processors
    Tomacruz, E. ; Sanghavi, J. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 20-21
    Online Konferenz
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    Space-time Galerkin/least-squares Finite Element Formulation For The Hydrodynamic Device Equations
    Alum, N.R. ; Law, K.H. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 16-17
    Online Konferenz
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    A Unified Model For The Simulation Of Small-geometry Devices
    Fierantoni, A. ; Ciampolini, P. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 26-27
    Online Konferenz
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    Robust Simulation Of GaAs Devices Using Energy Transport Model
    So, L.L. ; Chen, Datong ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 32-33
    Online Konferenz
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    Numerical Algorithms For Precise Calculation Of Surface Movement In 3-D Topography Simulation
    Leon, F.A. ; Tazawa, S. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 58-59
    Online Konferenz
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    Dynamic-clustering And Grain-growth Kinetics Effects On Dopant Diffusion In Polysilicon
    Hane, M. ; Hasegawa, S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 52-53
    Online Konferenz
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    Effects Of Nitride Viscosity On The Stress Distribution In LOCOS Structure
    Kuroda, S. ; Okihara, M. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 90-91
    Online Konferenz
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    Two-dimensional Modeling Of Self-aligned Silicide Process With A General-purpose Process Simulater OPUS
    Kai, K. ; Kuroda, S. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 66-67
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Feature-scale Modeling And Characterization Of Oxide APCVD
    Tung, Thye-Lai
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 70-71
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Two-dimensional Process Model For Silicide Growth
    Li, C.M. ; Crandle, T. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 68-69
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrothermai Analysis Oflatch-up In An IGT
    Brand, H. ; Selberherr, S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 116-117
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An Efficient Decoupled Algorithm For Solving Energy Transport Equations
    Kato, A. ; Katada, M. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 126-127
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Lifetime Prediction Model For Analog Devices Based On Drain Conductance Degradation Due To Hot Carrier Injection
    Kurachi, I. ; Hwang, Nam ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 130-131
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Parallel Computing Using A Mixed-level Device-circuit Simulator
    Satoh, S. ; Nakayama, N.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 128-129
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Modeling And Simulation Of Anomalous Degradation Of Subb-um NMOS's Current-driving Due To Velocity-saturation Effect
    Tsuneno, K. ; Sato, H. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 152-153
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