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    Fabrication, properties, and photodetector of β-(AlxGa1-x)2O3/GaN heteroepitaxial films grown by MOCVD.
    Chen, Rongrong ; Zhu, Hongyan ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 50 (2024-03-15), Heft 6, S. 9363-9371
    Online academicJournal
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    Alloy splitting of the Fe<subscript>Ga</subscript> acceptor level in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Kruszewski, P. ; Markevich, V. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-11-27), Heft 22, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Characteristics of the formation and composition of AlxGa1-xN/AlN/por-Si/Si(111) heterostructures grown using a porous silicon buffer layer
    Lenshin, Alexander S. ; Seredin, Pavel V. ; et al.
    In: Конденсированные среды и межфазные границы, Jg. 24 (2022-03-01), Heft 1
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Parasitic Al<subscript>x</subscript>O<subscript>y</subscript>N<subscript>z</subscript> surface defects on high-temperature annealed AlN and their role in hillock formation.
    Peters, Lukas ; Meyer, Tobias ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-09-11), Heft 11, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h.
    Steele, Jacob ; Azizie, Kathy ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 12 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of κ‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Layers and Superlattice Heterostructures up to x = 0.48 on Highly Conductive Al‐Doped ZnO Thin‐Film Templates by Pulsed Laser Deposition
    Kneiß, Max ; Storm, Philipp ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 258 (2021-02-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers.
    Rodrigues, J. ; Fialho, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-08-28), Heft 8, S. 81701-1- (11S.)
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films on sapphire substrates by plasma assisted pulsed laser deposition.
    Chen, Zewei ; Arita, Makoto ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-03-01), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
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    MOCVD epitaxy of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on (010) Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrates and N-type doping.
    Anhar Uddin Bhuiyan, A F M ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-09-16), Heft 12, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures with low Al content.
    Köhler, K. ; Müller, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-03-01), Heft 5, S. 53705-53709
    Online academicJournal
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    Optical characterizations of heavily doped p-type Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As and GaAs epitaxial films at terahertz frequencies.
    Hu, Z. G. ; Rinzan, M. B. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-05-01), Heft 9, S. 93529-93535
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    Comparative studies of nanoscale columnar AlxGa1-xN/AlN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on cSi, porSi/cSi and SiC/porSi/cSi substrates.
    Seredin, P.V. ; Goloshchapov, D.L. ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 145 (2023-11-01), S. N.PAG
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    Magnetotransport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN heterostructures grown on epitaxial lateral overgrown GaN templates.
    Biyikli, N. ; Ni, X. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-06-01), Heft 11, S. 113710-113717
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    Illumination and annealing characteristics of two-dimensional electron gas systems in metal-organic vapor-phase epitaxy grown Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN heterostructures.
    Biyikli, N. ; Özgür, Ü. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-15), Heft 10, S. 103702-103707
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    academicJournal
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    Optical functions from 0.02 to 6 eV of AlxGa1-xSb/GaSb epitaxial layers.
    Ferrini, R. ; Patrini, M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-10-15), Heft 8, S. 4517-4524
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    Buch
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    The effect of trimethylaluminum concentration on the incorporation of P In Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>P<subscript>y</subscript>As<subscript>1−y</subscript> grown by organometallic vapor phase epitaxy
    Ludowise, M. J. ; Dietze, W. T.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982), Heft 1, S. 59-73
    Online academicJournal
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    Properties of the deep donor states of AlxGa1-xAs:Se.
    Oh, E. G. ; Hanna, M. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 74 (1993-07-15), Heft 2, S. 1057-1071
    Online academicJournal
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