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    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor.
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), Heft 26, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Post-oxidized Mg-Al-O(001) coherent tunneling barrier in a wide range of resistance-area products.
    Sukegawa, Hiroaki ; Inomata, Koichiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-01), Heft 9, S. 1-5
    Online academicJournal
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    High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia.
    Thon, A. ; Kuech, T. F.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-07-01), Heft 1, S. 55-57
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of GaP and elucidation for self-limiting mechanism.
    Sakuma, Y. ; Kodama, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 827-829
    Online academicJournal
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    Reaction of trimethylgallium in the atomic layer epitaxy of GaAs (100).
    Yu, Ming L. ; Memmert, Ulrich ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-09-04), Heft 10, S. 1011-1013
    Online academicJournal
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    Direct writing of GaAs monolayers by laser-assisted atomic layer epitaxy.
    Karam, N. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-04-04), Heft 14, S. 1144-1146
    Online academicJournal
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    Stepwise monolayer growth of GaAs by switched laser metalorganic vapor phase epitaxy.
    Doi, Atsutoshi ; Aoyagi, Yoshinobu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 49 (1986-09-29), Heft 13, S. 785-787
    Online academicJournal
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    Self-limiting mechanism in the atomic layer epitaxy of GaAs.
    Tischler, M. A. ; Bedair, S. M.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-06-16), Heft 24, S. 1681-1683
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of GaInP ordered alloy.
    McDermott, B. T. ; Reid, K. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-03-19), Heft 12, S. 1172-1174
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of device quality GaAs.
    Colas, E. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-25), Heft 26, S. 2769-2771
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of high purity GaInAs on InP.
    Carey, Kent W.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 46 (1985), Heft 1, S. 89-91
    Online academicJournal
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