Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
33 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Verlag

Publikation

Sprache

Inhaltsanbieter

33 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows.
    Qiu, Xinjia ; Lv, Zesheng ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 131 (2019-07-01), S. 59-65
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 452 (2016-10-15), S. 226-229
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 388-393
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 248 (2003-02-01), Heft 1-4, S. 119-123
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor.
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), Heft 26, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask.
    Stȩpniak, Michał ; Wośko, Mateusz ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 168 (2023-12-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Post-oxidized Mg-Al-O(001) coherent tunneling barrier in a wide range of resistance-area products.
    Sukegawa, Hiroaki ; Inomata, Koichiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-01), Heft 9, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The use of azo-compounds as probes of carbon incorporation of nominally undoped metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs.
    Buchan, N. I. ; Kuech, T. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-15), Heft 4, S. 2156-2160
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN from trimethylgallium and tertiarybutylhydrazine
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 252 (2003-05-01), Heft 1-3, S. 144-151
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reduction of defect density in GaN epilayer having buried Ga metal by MOCVD
    Sumiya, Masatomo ; Kurumasa, Youichi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1060-1064
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Accelerated GaAs growth through MOVPE for low-cost PV applications.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 489 (2018-05-01), S. 63-67
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>P Nanowire Growth Dynamics Strongly Affected by Doping Using Diethylzinc.
    Otnes, Gaute ; Heurlin, Magnus ; et al.
    In: Nano Letters, Jg. 17 (2017-02-08), Heft 2, S. 702-707
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An innovative approach for controlled epitaxial growth of GaAs in real MOCVD reactor environment.
    Saxena, Praveen K. ; Srivastava, Pankaj ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 809 (2019-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High temperature adduct formation of trimethylgallium and ammonia.
    Thon, A. ; Kuech, T. F.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-07-01), Heft 1, S. 55-57
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Atomic layer epitaxy of GaP and elucidation for self-limiting mechanism.
    Sakuma, Y. ; Kodama, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 827-829
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Reaction of trimethylgallium in the atomic layer epitaxy of GaAs (100).
    Yu, Ming L. ; Memmert, Ulrich ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-09-04), Heft 10, S. 1011-1013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Direct writing of GaAs monolayers by laser-assisted atomic layer epitaxy.
    Karam, N. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-04-04), Heft 14, S. 1144-1146
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Stepwise monolayer growth of GaAs by switched laser metalorganic vapor phase epitaxy.
    Doi, Atsutoshi ; Aoyagi, Yoshinobu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 49 (1986-09-29), Heft 13, S. 785-787
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -