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    Studying the Effect of Electrically Active Impurities Coming from Trimethylgallium Synthesized by Different Means on the Electrophysical Characteristics of Gallium Arsenide Epitaxial Layers.
    Revin, M. V. ; Kotkov, A. P. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-12-25), Heft 15, S. 1947-1952
    Online academicJournal
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    MOVPE growth of BGaAs/GaAs[001], a first step towards BInGaAs
    Dumont, H. ; Monteil, Y. ; et al.
    In: Conference Proceedings. 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Cat. No.02CH37307), 2002, S. 693-696
    Online Konferenz
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    Formation of 0.5 /spl mu/m-period GaAs network structures for two-dimensional photonic crystals by selective area metal-organic vapor phase epitaxy
    Akabori, M. ; Motohisa, J. ; et al.
    In: 2000 IEEE International Symposium on Compound Semiconductors. Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International Symposium on Compound Semiconductors (Cat. No.00TH8498), 2000, S. 191-196
    Online Konferenz
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    Growth of ternary III-V-compound semiconductors by MOVPE using novel liquid metalorganic In precursors
    Scholz, F. ; Harle, V. ; et al.
    In: [Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials, 1991, S. 76-79
    Online Konferenz
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