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    Epitaxial $\beta$ -Ga2O3 and $\beta$ -(AlxGa1−x)2O3/ $\beta$ -Ga2O3 Heterostructures Growth for Power Electronics
    Miller, R. ; Alema, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-11-01), Heft 4, S. 467-467
    Online academicJournal
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    High-Temperature Stability of Lasing Wavelength in GaAsSb/GaAs QW Lasers
    Wan, C. T. ; Su, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-11-01), Heft 11, S. 1155-1157
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy grown heterojunction bipolar transistor having a carbon-doped base
    Bhat, R. ; Hayes, J.R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988-09-01), Heft 9, S. 442-443
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Atomic layer epitaxy grown heterojunction bipolar transistor having a carbon-doped base
    Hayes, J.R. ; Bhat, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 35 (1988-12-01), Heft 12, S. 2443-2443
    Online academicJournal
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