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    Strain effect and carrier density in modulation-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 - x</subscript>As/In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 - y</subscript>As/GaAs step quantum wells with an embedded potential barrier.
    Kim, T. W. ; Kim, D. Y.
    In: Journal of Materials Science Letters, Jg. 22 (2003-12-01), Heft 23, S. 1685-1688
    academicJournal
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    Structural and electrical properties of AlxIn<subscript>1-x</subscript>N (0.10 ≤ x ≤ 0.94) films grown on sapphire substrates.
    Han, Qi-Feng ; Duan, Cheng-Hong ; et al.
    In: Journal of Materials Research, Jg. 25 (2010-09-01), Heft 9, S. 1842-1842
    Online academicJournal
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    Polaron properties in ternary group-III nitride mixed crystals.
    Yan, Z. W. ; Ban, S. L. ; et al.
    In: European Physical Journal B: Condensed Matter, Jg. 43 (2005-02-01), Heft 3, S. 339-345
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Structural and optical properties of PA MBE AlGaN quantum well heterostructures grown on c-Al2O3 by using flux- and temperature-modulated techniques.
    Jmerik, Valentin N. ; Nechaev, Dmitrii V. ; et al.
    In: Journal of Materials Research, Jg. 30 (2015-10-14), Heft 19, S. 2871-2880
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    New approaches for growth control of GaN-based HEMT structures.
    Hardtdegen, H. ; Steins, R. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 87 (2007-06-01), Heft 3, S. 491-498
    Online academicJournal
    Zugriff:
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