Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
36 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

36 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Medury, Aditya Sankar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability ; page 1-1 ; ISSN 1530-4388 1558-2574, 2024
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 68, issue 2, page 497-502 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 69, issue 9, page 4828-4834 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, Muhammad Mainul ; Alam, Md. Nur Kutubul ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 5, issue 5, page 335-339 ; ISSN 2168-6734, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies ; ISSN 0946-7076 1432-1858, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 65, issue 3, page 895-900 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 64, issue 11, page 4615-4621 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 64, issue 10, page 3986-3990 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics ; volume 91, page 28-35 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 99, page 65-77 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 60, issue 4, page 1485-1489 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 59, issue 4, page 941-948 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2012
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 59, issue 1, page 247-251 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2012
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 58, issue 3, page 600-608 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2011
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 57, issue 1, page 61-66 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 5, page 545-551 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 143-148 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 137-142 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Gudmundsson, V. ; Hellstrom, P. E. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters ; volume 30, issue 5, page 541-543 ; ISSN 0741-3106 1558-0563, 2009
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -