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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 210, issue 2, page 285-290 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa/NH 3 /H 2 reaction system in GaN‐MOVPE growth by computational simulation
    Hirako, A. ; Koiso, S. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 203, issue 7, page 1716-1719 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 62, issue 1, page 142-145 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Mesostructured thin films deposited by PECVD from TMGe
    Kazimierski, P.
    In: Thin Solid Films ; volume 495, issue 1-2, page 144-148 ; ISSN 0040-6090, 2006
    academicJournal
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of InxGa1−xAs
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 29, issue 1, page 146-150 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2000
    academicJournal
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    A study of parasitic reactions between NH3 and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 25, issue 6, page 1004-1008 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1996
    academicJournal
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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI4-doped inGaAs
    Stockman, S. A. ; Hanson, A. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 23, issue 8, page 791-799 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1994
    academicJournal
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    A study of the OMVPE growth mechanisms using internal reflectance spectroscopy to examine adsorption of TMGa and NH3 and surface reactions between them
    Tripathi, A. ; Mazzarese, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 18, issue 1, page 45-51 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1989
    academicJournal
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    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 218, issue 6 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2021
    academicJournal
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    Carbon‐tuned cathodoluminescence of semi‐insulating GaN
    Kakanakova‐Georgieva, A. ; Forsberg, U. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 208, issue 9, page 2182-2185 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2011
    academicJournal
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