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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies ; ISSN 0946-7076 1432-1858, 2018
    academicJournal
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics ; volume 91, page 28-35 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 99, page 65-77 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 57, issue 1, page 61-66 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 5, page 545-551 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 143-148 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 137-142 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 53, issue 5, page 540-547 ; ISSN 0038-1101, 2009
    academicJournal
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 52, issue 12, page 1867-1871 ; ISSN 0038-1101, 2008
    academicJournal
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 51, issue 4, page 611-616 ; ISSN 0038-1101, 2007
    academicJournal
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 50, issue 1, page 86-93 ; ISSN 0038-1101, 2006
    academicJournal
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 50, issue 4, page 660-667 ; ISSN 0038-1101, 2006
    academicJournal
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 49, issue 3, page 479-483 ; ISSN 0038-1101, 2005
    academicJournal
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 48, issue 4, page 521-527 ; ISSN 0038-1101, 2004
    academicJournal
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