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19 Treffer

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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 210, issue 2, page 285-290 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa/NH 3 /H 2 reaction system in GaN‐MOVPE growth by computational simulation
    Hirako, A. ; Koiso, S. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 203, issue 7, page 1716-1719 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 62, issue 1, page 142-145 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal Properties of TmGa 3
    Czopnik, A. ; Mädge, H. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 163, issue 2, page 473-480 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 1991
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of InxGa1−xAs
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 29, issue 1, page 146-150 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A study of parasitic reactions between NH3 and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 25, issue 6, page 1004-1008 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1996
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI4-doped inGaAs
    Stockman, S. A. ; Hanson, A. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 23, issue 8, page 791-799 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Magnetic properties of TmFeO 3 and TmGa 0.13 Fe 0.87 O 3 orthoferrites
    Karneeva, S.S. ; Kalantarian, V.P. ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials ; volume 110, issue 3, page 327-330 ; ISSN 0304-8853, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A study of the OMVPE growth mechanisms using internal reflectance spectroscopy to examine adsorption of TMGa and NH3 and surface reactions between them
    Tripathi, A. ; Mazzarese, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 18, issue 1, page 45-51 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1989
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Magnetoelasticity and quadrupolar interactions in TmGa3
    Morin, P. ; Rouchy, J. ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials ; volume 67, issue 1, page 95-101 ; ISSN 0304-8853, 1987
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Antiferroquadrupolar and antiferromagnetic structures in TmGa3
    Morin, P. ; Giraud, M. ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials ; volume 68, issue 1, page 107-114 ; ISSN 0304-8853, 1987
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Magnetic properties of TmAl3 and TmGa3
    Deutz, A.F. ; Brom, H.B. ; et al.
    In: Physica B: Condensed Matter ; volume 160, issue 1, page 83-90 ; ISSN 0921-4526, 1989
    academicJournal
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    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 218, issue 6 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2021
    academicJournal
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    Comparison of Triethylgallium and Trimethylgallium Precursors for GaInP Nanowire Growth
    Alcer, David ; Saxena, Aditya P. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 258, issue 2 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2020
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Green emission from semipolar InGaN quantum wells grown on low‐defect () GaN templates fabricated on patterned r ‐sapphire
    de Mierry, P. ; Kappei, L. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 253, issue 1, page 105-111 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2015
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Thermal stability of amorphous structure and magnetic properties Fe 80– x Co x P 14 B 6 ( x = 20–40) ribbons
    Kostyrya, S. A. ; Idzikowski, B. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 243, issue 1, page 339-342 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2006
    academicJournal
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    Carbon‐tuned cathodoluminescence of semi‐insulating GaN
    Kakanakova‐Georgieva, A. ; Forsberg, U. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 208, issue 9, page 2182-2185 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2011
    academicJournal
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    A fast reflectance anisotropy spectrometer for in situ growth monitoring
    Kaspari, Christian ; Pristovsek, Markus ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 242, issue 13, page 2561-2569 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2005
    academicJournal
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    Contributions to the hyperfine field at the 57 Fe nucleus in crystals with garnet structure
    Valentin, R.
    In: physica status solidi (b) ; volume 59, issue 1, page 101-105 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 1973
    academicJournal
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