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    Unraveling intrinsic mobility limits in two-dimensional (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> alloys.
    Duan, Xinlei ; lqbal, Safdar ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-06-14), Heft 22, S. 1-12
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    Bulk single crystals and physical properties of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (x = 0–0.35) grown by the Czochralski method.
    Galazka, Zbigniew ; Fiedler, Andreas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-01-21), Heft 3, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Full-band Monte Carlo simulation of two-dimensional electron gas in (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterostructures.
    Kumar, Avinash ; Singisetti, Uttam
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-11-28), Heft 20, S. 1-14
    Online academicJournal
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    Preparation of degenerate n-type Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>N (0 < x ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition.
    Nishikawa, Yuto ; Ueno, Kohei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-06-05), Heft 23, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Electron mobility in ordered β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> alloys from first-principles.
    Duan, Xinlei ; Wang, Tianyu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 121 (2022-07-25), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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    High electron mobility of AlxGa1−xN evaluated by unfolding the DFT band structure.
    Pant, Nick ; Deng, Zihao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-14), Heft 24, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Electro-thermal co-design of β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 modulation doped field effect transistors.
    Chatterjee, Bikramjit ; Song, Yiwen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-10-12), Heft 15, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Enhancement of multisubband electron mobility in parabolic AlxGa1-xAs-GaAs double quantum well structures.
    Sahu, Trinath ; Palo, Sangeeta ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-02-28), Heft 8, S. 83704-83712
    Online academicJournal
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    High‐Temperature Operation of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (x > 0.4) Channel Metal Oxide Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors with High‐k Atomic Layer Deposited Gate Oxides.
    Mollah, Shahab ; Hussain, Kamal ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 217 (2020-04-01), Heft 7, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Effect of parabolic structure potentials on electron mobility in AlxGa1-xAs quantum well based field effect transistor structure.
    Sahu, Ajit Kumar ; Sahoo, Narayan
    In: Micro & Nanostructures, Jg. 184 (2023-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Illumination and annealing characteristics of two-dimensional electron gas systems in metal-organic vapor-phase epitaxy grown Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN heterostructures.
    Biyikli, N. ; Özgür, Ü. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-15), Heft 10, S. 103702-103707
    Online academicJournal
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    Theoretical analysis of the mobility of two-dimensional electron gas in the quaternary Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-x-y</subscript>N/GaN heterojunctions limited by the alloy composition fluctuation.
    Li, Yao ; Zhang, Jinfeng ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-10-01), Heft 10, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Selective wet etching of GaAs on AlxGa1-xAs for AlGaAs/InGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron...
    Moon, Eun-A ; Lee, Jong-Lam
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-10-01), Heft 7, S. 3933-3938
    Online academicJournal
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    Low-frequency noise measurements of AlxGa1-xAs/InyGa1-y As/GaAs high electron mobility transistors.
    Haddab, Y. ; Deveaud, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-08-15), Heft 4, S. 2509-2514
    Online academicJournal
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    Temperature dependence of photoluminescence in modulation-doped pseudomorphic high electron mobility transistor AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs/GaAs structures.
    Yu, P. W. ; Jogai, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-12-01), Heft 11, S. 7535-7540
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    Probing channel temperature profiles in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN high electron mobility transistors on 200 mm diameter Si(111) by optical spectroscopy.
    Kyaw, L. M. ; Bera, L. K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-08-18), Heft 7, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN quantum wells.
    Jian-Xia, Wang ; Shao-Yan, Yang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 22 (2013-07-01), Heft 7, S. 1-4
    Online academicJournal
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    A Theoretical Calculation of the Impact of GaN Cap and \Alx\Ga1-x\N Barrier Thickness Fluctuations on Two-Dimensional Electron Gas in a \GaN/\Alx\Ga1-x\N/GaN Heterostructure.
    Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4272-4275
    Online academicJournal
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    Thermoelectric power and low-field electron mobility in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N lattice-matched to GaN.
    ARABSHAHI, H.
    In: Turkish Journal of Physics, Jg. 33 (2009-08-01), Heft 4, S. 219-224
    academicJournal
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    Electron mobility for a model Al<subscript>x</subscript> Ga<subscript>1-x</subscript> As/GaAs heterojunction under pressure.
    Bai, X. P. ; Ban, S. L.
    In: European Physical Journal B: Condensed Matter, Jg. 58 (2007-07-01), Heft 1, S. 31-36
    Online academicJournal
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