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    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Medury, Aditya Sankar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability ; page 1-1 ; ISSN 1530-4388 1558-2574, 2024
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 68, issue 2, page 497-502 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2021
    Online academicJournal
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology ; volume 22, page 8-13 ; ISSN 1536-125X 1941-0085, 2023
    Online academicJournal
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 69, issue 9, page 4828-4834 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2022
    Online academicJournal
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    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, Muhammad Mainul ; Alam, Md. Nur Kutubul ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society ; volume 5, issue 5, page 335-339 ; ISSN 2168-6734, 2017
    Online academicJournal
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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies ; ISSN 0946-7076 1432-1858, 2018
    academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 65, issue 3, page 895-900 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2018
    Online academicJournal
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 64, issue 11, page 4615-4621 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2017
    Online academicJournal
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 64, issue 10, page 3986-3990 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2017
    Online academicJournal
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 101, page 362-372 ; ISSN 0749-6036, 2017
    academicJournal
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics ; volume 91, page 28-35 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 99, page 65-77 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Mondal, Chandrima ; Biswas, Abhijit
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 75, page 118-126 ; ISSN 0749-6036, 2014
    academicJournal
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology ; volume 12, issue 4, page 524-531 ; ISSN 1536-125X 1941-0085, 2013
    Online academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 60, issue 4, page 1485-1489 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2013
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 59, issue 4, page 941-948 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2012
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 59, issue 1, page 247-251 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2012
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices ; volume 58, issue 3, page 600-608 ; ISSN 0018-9383 1557-9646, 2011
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 57, issue 1, page 61-66 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
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