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    Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14 nm UTBB FDSOI technology.
    Ortolland, S. ; Nicolas, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 72-79
    Online academicJournal
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    An in-depth analysis of temperature effect on DIBL in UTBB FD SOI MOSFETs based on experimental data, numerical simulations and analytical models.
    de Streel, G. ; Flandre, D. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 67-71
    Online academicJournal
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    Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM.
    Almeida, Luciano Mendes ; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 149-154
    Online academicJournal
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    Transistors on hybrid UTBB/Bulk substrates fabricated by local internal BOX dissolution.
    Nguyen, P. ; Andrieu, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 39-43
    Online academicJournal
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    Study of substrate orientations impact on Ultra Thin Buried Oxide (UTBOX) FDSOI High-K Metal gate technology performances.
    Ben Akkez, Imed ; Fenouillet-Beranger, Claire ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 143-148
    Online academicJournal
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    Impact of self-heating and substrate effects on small-signal output conductance in UTBB SOI MOSFETs
    Makovejev, S. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 71 (2012-05-01), S. 93-100
    Online academicJournal
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), Heft 12, S. 1867-1871
    Online academicJournal
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    Full split C-V method for parameter extraction in ultra thin BOX FDSOI MOS devices.
    Shin, Minju ; Shi, Ming ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 99 (2014-09-01), S. 104-107
    Online academicJournal
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    On the extension of ET-FDSOI roadmap for 22nm node and beyond.
    Sampedro, C. ; Gámiz, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 23-27
    Online academicJournal
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