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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
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    Proposal and Experimental Demonstration of Ultrathin-Body (111) InAs-On-Insulator nMOSFETs With L Valley Conduction.
    Sumita, Kei ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2003-2009
    Online academicJournal
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    Impact of Quantum Confinement on Backgate-Bias Modulated Threshold-Voltage and Subthreshold Characteristics for Ultra-Thin-Body GeOI MOSFETs.
    Yu, Chang-Hung ; Wu, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), Heft 7, S. 1851-1855
    Online academicJournal
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    A Tight-Binding Study of the Ballistic Injection Velocity for Ultrathin-Body SOI MOSFETs.
    Liu, Yang ; Neophytou, Neophytos ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-03-01), Heft 3, S. 866-871
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    A Low-Field Mobility Model for Bulk and Ultrathin-Body SOI p-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations.
    Silvestri, Luca ; Reggiani, Susanna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 12, S. 3287-3294
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    Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultrathin Body pMOSFETs.
    Chang, Pengying ; Liu, Xiaoyan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-03-01), Heft 3, S. 947-954
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    Assessment of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-on-Insulator MOSFETs Using Physics-Based Modeling.
    Poljak, Mirko ; Jovanovic, Vladimir ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-06-01), Heft 6, S. 1636-1643
    Online academicJournal
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    Band-Structure Effects on the Performance of III-V Ultrathin-Body SOI MOSFETs.
    Liu, Yang ; Neophytou, Neophytos ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1116-1122
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