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    Three region Hetero-Material Gate Oxide Stack (TMGOS) Epi-MOSFET: A new device structure for reduced short channel effects
    Goel, K. ; Saxena, M. ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005, S. 72-73
    Online Konferenz
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    Effect of gate engineering in FinFET for RF applications
    Sivasankaran, K. ; Kumar Chitroju, T.R.K ; et al.
    In: 2014 International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2014, S. 1-6
    Online Konferenz
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    Free ion yields for tetramethylsilane and tetramethylgermanium
    Sakamoto, M. ; Iso, H. ; et al.
    In: IEEE Conference on Nuclear Science Symposium and Medical Imaging, 1992, S. 251-253
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Marking optimization of deterministic timed weighted marked graphs
    He, Zhou ; Li, Zhiwu ; et al.
    In: 2014 IEEE International Conference on Automation Science and Engineering (CASE), 2014-08-01, S. 413-418
    Online Konferenz
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    High-Temperature Stability of Lasing Wavelength in GaAsSb/GaAs QW Lasers
    Wan, C. T. ; Su, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-11-01), Heft 11, S. 1155-1157
    Online academicJournal
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    High performance tunnel field effect transistor with a tri-material-gate structure
    Liang, Renrong ; Cui, Ning ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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