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    Effect of Gallium Source Material on the Transparent Conducting Properties of Ga:ZnO Thin Films Through Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
    Thi Thanh Ho, Van ; Giang Bach, Long ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 623 (2015-12-01), Heft 1, S. 433-443
    Online academicJournal
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Deura, Momoko ; Kondo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1353-1358
    Online academicJournal
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    Growth by MOCVD of In(Ga)AlN alloys, and a study of gallium contamination in these layers under nitrogen and hydrogen carrier gas.
    Bouveyron, R. ; Charles, M.B.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 464 (2017-04-15), S. 105-111
    Online academicJournal
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    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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    High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 209-213
    Online academicJournal
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    MOVPE of n-doped GaAs and modulation doped GaAs/AlGaAs nanowires
    Sladek, K. ; Klinger, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-02-15), Heft 5, S. 635-640
    Online academicJournal
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    Growth of In <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N quantum dots by nitridation of nano-alloyed droplet method using MOCVD
    Song, Heon ; Lee, Seon-Ho ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-09-15), Heft 19, S. 4418-4422
    Online academicJournal
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    AP-MOVPE of InGaAs on GaAs (001): Analysis of in situ reflectivity response
    Habchi, M.M. ; Rebey, A. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008-12-01), Heft 12, S. 1587-1593
    Online academicJournal
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    Properties of MOVPE GaN grown on ZnO deposited on Si(001) and Si(111) substrates
    Paszkiewicz, R. ; Paszkiewicz, B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-11-15), Heft 23, S. 4891-4895
    Online academicJournal
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    A new MOVPE reactor for heteroepitaxial GaAs deposition on large-scale Ge substrates
    Pelosi, C. ; Attolini, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 652-655
    Online academicJournal
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    Effect of controlled growth rate on the tilt mosaic microstructure of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire.
    Lee, Yong Seok ; Kim, Hun ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1399 (2011-12-22), Heft 1, S. 111-112
    Online Konferenz
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    Epitaxial Growth of GaAs on Ge/Si Substrates by MOCVD.
    Okamoto, Kotaro ; Yukawa, Teizo ; et al.
    In: Electronics & Communications in Japan, Part 2:, Jg. 68 (1985-09-01), Heft 5, S. 44-51
    academicJournal
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