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    Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy.
    Yang, Fangfang ; Messing, Maria E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 181-186
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Characterisation of GaAsN layers grown by MOVPE
    Pelosi, Claudio ; Attolini, Giovanni ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 625-628
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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    Epitaxial Growth of GaAs on Ge/Si Substrates by MOCVD.
    Okamoto, Kotaro ; Yukawa, Teizo ; et al.
    In: Electronics & Communications in Japan, Part 2:, Jg. 68 (1985-09-01), Heft 5, S. 44-51
    academicJournal
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