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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 256 (2010-09-01), Heft 22, S. 6694-6698
    Online academicJournal
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    Formation of polymers in TMGa/NH<subscript>3</subscript>/H<subscript>2</subscript> system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 289 (2006-04-01), Heft 2, S. 428-432
    Online academicJournal
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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    Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy.
    Yang, Fangfang ; Messing, Maria E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 181-186
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD
    Liu, Yuemei ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2013-04-01, S. 92-96
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Deura, Momoko ; Kondo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1353-1358
    Online academicJournal
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    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
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    Growth behavior of GaSb by metal–organic vapor-phase epitaxy
    Rathi, Manish K. ; Hawkins, Brian E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 117-128
    Online academicJournal
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    Growth by MOCVD of In(Ga)AlN alloys, and a study of gallium contamination in these layers under nitrogen and hydrogen carrier gas.
    Bouveyron, R. ; Charles, M.B.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 464 (2017-04-15), S. 105-111
    Online academicJournal
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    Growth characteristics and properties of Ga-doped ZnO (GZO) thin films grown by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Nam, Taewook ; Lee, Chang Wan ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 295 (2014-03-15), S. 260-265
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    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
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    Effect of compositionally graded AlGaN buffer layer grown by different functions of trimethylaluminum flow rates on the properties of GaN on Si (111) substrates.
    Yang, Yibin ; Xiang, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 376 (2013-08-01), S. 23-27
    Online academicJournal
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    Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 7-11
    Online academicJournal
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    High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 209-213
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Diamond & Related Materials, Jg. 21 (2012), S. 88-91
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    Highly c-axis oriented GaN films grown on free-standing diamond substrates for high-power devices
    Zhang, D. ; Bian, J.M. ; et al.
    In: Materials Research Bulletin, Jg. 46 (2011-10-01), Heft 10, S. 1582-1585
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MOVPE of n-doped GaAs and modulation doped GaAs/AlGaAs nanowires
    Sladek, K. ; Klinger, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-02-15), Heft 5, S. 635-640
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Growth of In <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N quantum dots by nitridation of nano-alloyed droplet method using MOCVD
    Song, Heon ; Lee, Seon-Ho ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-09-15), Heft 19, S. 4418-4422
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