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    Formation of polymers in TMGa/NH<subscript>3</subscript>/H<subscript>2</subscript> system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 289 (2006-04-01), Heft 2, S. 428-432
    Online academicJournal
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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    Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy.
    Yang, Fangfang ; Messing, Maria E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 181-186
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD
    Liu, Yuemei ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2013-04-01, S. 92-96
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Deura, Momoko ; Kondo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1353-1358
    Online academicJournal
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    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
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    Growth behavior of GaSb by metal–organic vapor-phase epitaxy
    Rathi, Manish K. ; Hawkins, Brian E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 117-128
    Online academicJournal
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    Growth by MOCVD of In(Ga)AlN alloys, and a study of gallium contamination in these layers under nitrogen and hydrogen carrier gas.
    Bouveyron, R. ; Charles, M.B.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 464 (2017-04-15), S. 105-111
    Online academicJournal
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    Effect of compositionally graded AlGaN buffer layer grown by different functions of trimethylaluminum flow rates on the properties of GaN on Si (111) substrates.
    Yang, Yibin ; Xiang, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 376 (2013-08-01), S. 23-27
    Online academicJournal
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    Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 7-11
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    High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 209-213
    Online academicJournal
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    MOVPE of n-doped GaAs and modulation doped GaAs/AlGaAs nanowires
    Sladek, K. ; Klinger, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-02-15), Heft 5, S. 635-640
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    Growth of In <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N quantum dots by nitridation of nano-alloyed droplet method using MOCVD
    Song, Heon ; Lee, Seon-Ho ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-09-15), Heft 19, S. 4418-4422
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    Properties of MOVPE GaN grown on ZnO deposited on Si(001) and Si(111) substrates
    Paszkiewicz, R. ; Paszkiewicz, B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-11-15), Heft 23, S. 4891-4895
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    Simulation of growth rate and deposition profile on the periodically patterned substrate
    Baek, Byung-Joon ; Kang, Sung-Ju ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 304 (2007-06-01), Heft 1, S. 211-218
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    Modeling and process design of III-nitride MOVPE at near-atmospheric pressure in close coupled showerhead and planetary reactors
    Dauelsberg, M. ; Martin, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 418-424
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    Substrate-surface orientation dependence of N content in MOVPE growth of GaAsN films on GaAs
    Ono, W. ; Nakajima, F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 135-139
    Online academicJournal
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    Effect of group V partial pressure on the kinetics of selective area MOVPE for GaAs on (100) exact and misoriented substrate
    Song, Haizheng ; Song, Xueliang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 664-667
    Online academicJournal
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