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    Effect of TMGa preflow on the properties of high temperature AlN layers grown on sapphire
    Kirste, Ronny ; Wagner, Markus R. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 210, issue 2, page 285-290 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa/NH 3 /H 2 reaction system in GaN‐MOVPE growth by computational simulation
    Hirako, A. ; Koiso, S. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 203, issue 7, page 1716-1719 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 218, issue 6 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carbon‐tuned cathodoluminescence of semi‐insulating GaN
    Kakanakova‐Georgieva, A. ; Forsberg, U. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 208, issue 9, page 2182-2185 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2011
    academicJournal
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    Tracking the Structure‐Reactivity Relationship of Zinc Guanidine‐Pyridine Hybrid Complexes Initiating Lactide Polymerisation
    Börner, Janna ; Flörke, Ulrich ; et al.
    In: Macromolecular Symposia ; volume 296, issue 1, page 354-365 ; ISSN 1022-1360 1521-3900, 2010
    academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Deformation Behavior of PET, PBT and PBT‐Based Thermoplastic Elastomers as Revealed by SAXS from Synchrotron
    Stribeck, Norbert ; Fakirov, Stoyko ; et al.
    In: Macromolecular Chemistry and Physics ; volume 204, issue 7, page 1000-1013 ; ISSN 1022-1352 1521-3935, 2003
    academicJournal
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    Stoichiometry effects in gaAs epitaxy for ballistic tunneling semiconductor devices
    Nishizawa, Jun‐Ichi ; Kurabayashi, Toru
    In: Macromolecular Symposia ; volume 136, issue 1, page 47-60 ; ISSN 1022-1360 1521-3900, 1998
    academicJournal
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