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    Layout-Induced Strain Study for RF Performance Improvement of 22-nm UTBB FDSOI PFET.
    Sloyan, Karen ; Ravaux, Florent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3230-3237
    Online academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    Online academicJournal
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    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOl MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET.
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    Online academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
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    Multi-VT UTBB FDSOI Device Architectures for Low-Power CMOS Circuit.
    Noel, Jean-Philippe ; Thomas, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), Heft 8, S. 2473-2482
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Hardened and Mitigation Strategies in Deep Submicrometer CMOS and Beyond.
    Chatzikyriakou, Eleni ; Morgan, Katrina ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 808-819
    Online academicJournal
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    Electrostatic Doping in Semiconductor Devices.
    Gupta, Gaurav ; Rajasekharan, Bijoy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3044-3055
    Online academicJournal
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    Experimental and Theoretical Investigation of Magnetoresistance From Linear Regime to Saturation in 14-nm FD-SOI MOS Devices.
    Shin, Minju ; Shi, Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015), Heft 1, S. 3-8
    Online academicJournal
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    Quasi-SOO MOSFETs—A Promising Bulk Device Candidate for Extremely Scaled Era.
    Tian, Yu ; Xiao, Han ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-07-01), Heft 7, S. 1784-1788
    Online academicJournal
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    The Impact of Device Footprint Scaling on High-Performance CMOS Logic Technology.
    Deng, Jie ; Kim, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1148-1155
    Online academicJournal
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    Ultrathin-Body SOl Devices as a CMOS Technology Downscaling Option: RF Perspective.
    Nuttinck, Sebastien
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1193-1199
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