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    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
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    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
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    Thickness-dependent physical and nanomechanical properties of [formula omitted] thin films.
    Boughrara, N. ; Benzarti, Z. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 151 (2022-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Study of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers growth on GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by MOCVD at different pressures.
    Guarneros, C. ; Espinosa, J. E. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 26 (2013-09-01), Heft 3, S. 107-110
    academicJournal
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    Growth of gallium oxide thin films on silicon by the metal organic chemical vapor deposition method
    Kim, Hyoun Woo ; Kim, Nam Ho
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 110 (2004-06-25), Heft 1, S. 34-37
    Online academicJournal
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