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    Basic studies of gallium nitride growth on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition and optical properties of deposited layers.
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1531-1534
    Online academicJournal
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    A new growth method of semi-insulating GaN layer for HEMT structure by eliminating degenerate layer at GaN/sapphire interface.
    Shin, In-Su ; Kim, Donghyun ; et al.
    In: Current Applied Physics, Jg. 15 (2015-09-02), S. S11
    Online academicJournal
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    Basic studies of gallium Nitride growth on Sapphire by metalorganuc Chemical Vapor Deposition and optical properties of deposited layers ; Grundlagenuntersuchungen zur MOCVD-Züchtung von Gallium-Nitrid auf Saphir und optische Eigenschaften von deponierten Schichten
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    1995
    academicJournal
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