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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Reduction of defect density in GaN epilayer having buried Ga metal by MOCVD
    Sumiya, Masatomo ; Kurumasa, Youichi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1060-1064
    Online academicJournal
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    High-quality a-plane GaN grown with flow-rate modulation epitaxy on r-plane sapphire substrate
    Huang, Jeng-Jie ; Tang, Tsung-Yi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-05-15), Heft 11, S. 2712-2716
    Online academicJournal
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