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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    Growth by MOCVD of In(Ga)AlN alloys, and a study of gallium contamination in these layers under nitrogen and hydrogen carrier gas.
    Bouveyron, R. ; Charles, M.B.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 464 (2017-04-15), S. 105-111
    Online academicJournal
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    High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 209-213
    Online academicJournal
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    Unravelling the unwanted Ga incorporation effect on InGaN epilayers grown in CCS MOVPE reactors.
    Mrad, Mrad ; Licitra, Christophe ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 536 (2020-04-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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