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    academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Formation of polymers in TMGa/NH<subscript>3</subscript>/H<subscript>2</subscript> system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 289 (2006-04-01), Heft 2, S. 428-432
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Metalorganic vapor-phase epitaxial growth simulation to realize high-quality and high-In-content InGaN alloys.
    Ohkawa, Kazuhiro ; Ichinohe, Fumitaka ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 512 (2019-04-15), S. 69-73
    Online academicJournal
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    Carbon and silicon background impurity control in undoped GaN layers grown with trimethylgallium and triethylgallium via metalorganic chemical vapor deposition.
    Bakhtiary-Noodeh, Marzieh ; Detchprohm, Theeradetch ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 602 (2023-01-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    Lin, Chia-Hung ; Abe, Ryota ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 214-217
    Online academicJournal
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    Fabrication of submicron active-region-buried GaN hexagonal frustum structures by selective area growth for directional micro-LEDs.
    Kumagai, Naoto ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 437-441
    Online academicJournal
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    Al incorporation, structural and optical properties of Al <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N (0.13⩽x⩽0.8) alloys grown by MOCVD
    Liu, B. ; Zhang, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-10-15), Heft 21, S. 4499-4502
    Online academicJournal
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    Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection
    Moe, C. ; Onuma, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 710-713
    Online academicJournal
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    Reduction of defect density in GaN epilayer having buried Ga metal by MOCVD
    Sumiya, Masatomo ; Kurumasa, Youichi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1060-1064
    Online academicJournal
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    Growth by MOCVD of In(Ga)AlN alloys, and a study of gallium contamination in these layers under nitrogen and hydrogen carrier gas.
    Bouveyron, R. ; Charles, M.B.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 464 (2017-04-15), S. 105-111
    Online academicJournal
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    Effect of compositionally graded AlGaN buffer layer grown by different functions of trimethylaluminum flow rates on the properties of GaN on Si (111) substrates.
    Yang, Yibin ; Xiang, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 376 (2013-08-01), S. 23-27
    Online academicJournal
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    Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 7-11
    Online academicJournal
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    High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 209-213
    Online academicJournal
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    Compositional analysis of In-rich InGaN layers grown on GaN templates by metalorganic chemical vapor deposition
    Kim, Hee Jin ; Shin, Yoori ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-06-01), Heft 12, S. 3004-3008
    Online academicJournal
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    High-quality a-plane GaN grown with flow-rate modulation epitaxy on r-plane sapphire substrate
    Huang, Jeng-Jie ; Tang, Tsung-Yi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-05-15), Heft 11, S. 2712-2716
    Online academicJournal
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    Modeling and process design of III-nitride MOVPE at near-atmospheric pressure in close coupled showerhead and planetary reactors
    Dauelsberg, M. ; Martin, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 418-424
    Online academicJournal
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    Effects of reactor pressure and residence time on GaN MOVPE growth efficiency
    Lundin, W.V. ; Zavarin, E.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 605-609
    Online academicJournal
    Zugriff:
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