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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN.
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 950-953
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Unravelling the unwanted Ga incorporation effect on InGaN epilayers grown in CCS MOVPE reactors.
    Mrad, Mrad ; Licitra, Christophe ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 536 (2020-04-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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