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    Deposition Mechanism and Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Gallium Nitride Films with Different Substrate Temperatures.
    Ren, Fang-Bin ; Jiang, Shi-Cong ; et al.
    In: Molecules, Jg. 27 (2022-12-01), Heft 23, S. 8123-8139
    Online academicJournal
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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, Ali ; Kizir, Seda ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 2016-04-01, S. 132-134
    Online Konferenz
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    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
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    Field enhanced GaN photocathode and a proposed implementation method.
    Wang, Xiaohui ; Yu, He ; et al.
    In: Optik - International Journal for Light & Electron Optics, Jg. 144 (2017-09-01), S. 281-288
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Atomic layer deposition of GaN at low temperatures.
    Ozgit, Cagla ; Donmez, Inci ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 30 (2012), Heft 1, S. 1A124- (4S.)
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High-Temperature Atomic Layer Deposition of GaN on 1D Nanostructures.
    Austin, Aaron J. ; Echeverria, Elena ; et al.
    In: Nanomaterials (2079-4991), Jg. 10 (2020-12-01), Heft 12, S. 2434
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-Temperature Atomic Layer Deposition of GaN on 1D Nanostructures
    Austin, Aaron J. ; Echeverria, Elena ; et al.
    In: Nanomaterials; Volume 10; Issue 12; Pages: 2434, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as 'ga' source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition
    Alevli, M. ; Haider, A. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2016
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Low-temperature self-limiting growth of III-nitride thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition
    Biyikli, N. ; Ozgit, C. ; et al.
    In: Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2012
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GROWTH OF GAN
    LU, DC ; WANG, D ; et al.
    1995
    unknown
    Wie komme ich dran?

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