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    Plasma Enhanced atomic layer deposited amorphous gallium oxide thin films using novel trimethyl[N-(2-methoxyethyl)-2-methylpropan-2-amine]gallium.
    Hong, Tae ; Hyun ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 47 (2021-01-15), Heft 2, S. 1588-1593
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    Plasma enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching of gallium oxide using trimethylgallium.
    Hatch, Kevin A. ; Messina, Daniel C. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 40 (2022-07-01), Heft 4, S. 1-7
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    Low-temperature growth of gallium oxide thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Mahmoodinezhad, Ali ; Janowitz, Christoph ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 38 (2020-03-01), Heft 2, S. 1-11
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    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as "Ga" source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition.
    Alevli, Mustafa ; Haider, Ali ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 34 (2016), Heft 1, S. 1A137-1- (6S.)
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    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide.
    Allen, T. G. ; Cuevas, A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
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    Growth characteristics and properties of Ga-doped ZnO (GZO) thin films grown by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Nam, Taewook ; Lee, Chang Wan ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 295 (2014-03-15), S. 260-265
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    Optical and electrical properties of transparent conducting gallium-doped ZnO electrodes prepared by atomic layer deposition for application in organic solar cells.
    Song, Yoon Seog ; Seong, Nak Jin ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 271-274
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