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    Plasma enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching of gallium oxide using trimethylgallium.
    Hatch, Kevin A. ; Messina, Daniel C. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 40 (2022-07-01), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Low-temperature growth of gallium oxide thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Mahmoodinezhad, Ali ; Janowitz, Christoph ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 38 (2020-03-01), Heft 2, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as "Ga" source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition.
    Alevli, Mustafa ; Haider, Ali ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 34 (2016), Heft 1, S. 1A137-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide.
    Allen, T. G. ; Cuevas, A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Atomic layer deposition of GaN at low temperatures.
    Ozgit, Cagla ; Donmez, Inci ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 30 (2012), Heft 1, S. 1A124- (4S.)
    Online academicJournal
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    Effect of Mg interlayer on perpendicular magnetic anisotropy of CoFeB films in MgO/Mg/CoFeB/Ta structure.
    Ma, Q. L. ; Iihama, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-09-17), Heft 12, S. 122414-122414
    Online academicJournal
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