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    Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Diamond & Related Materials, Jg. 21 (2012), S. 88-91
    Online academicJournal
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    Highly c-axis oriented GaN films grown on free-standing diamond substrates for high-power devices
    Zhang, D. ; Bian, J.M. ; et al.
    In: Materials Research Bulletin, Jg. 46 (2011-10-01), Heft 10, S. 1582-1585
    Online academicJournal
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    Influence of N<subscript>2</subscript> flux on the improvement of highly c-oriented GaN films on diamond substrates
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 85 (2011-01-21), Heft 7, S. 725-729
    Online academicJournal
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    Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD
    Suresh, S. ; Lourdudoss, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-10-15), Heft 21, S. 3151-3155
    Online academicJournal
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    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as 'ga' source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition
    Alevli, M. ; Haider, A. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2016
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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