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    Morphological and luminescent characteristics of GaN dots deposited on AlN by alternate supply of TMG and NH<subscript>3</subscript>
    Tsai, Yu-Li ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 252 (2006-03-15), Heft 10, S. 3454-3459
    Online academicJournal
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    Low temperature synthesis of GaN films on ITO substrates by ECR-PEMOCVD
    Zhao, Yue ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 92 (2013-06-01), S. 77-80
    Online academicJournal
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    Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Diamond & Related Materials, Jg. 21 (2012), S. 88-91
    Online academicJournal
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    Highly c-axis oriented GaN films grown on free-standing diamond substrates for high-power devices
    Zhang, D. ; Bian, J.M. ; et al.
    In: Materials Research Bulletin, Jg. 46 (2011-10-01), Heft 10, S. 1582-1585
    Online academicJournal
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    Influence of N<subscript>2</subscript> flux on the improvement of highly c-oriented GaN films on diamond substrates
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 85 (2011-01-21), Heft 7, S. 725-729
    Online academicJournal
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    Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD
    Suresh, S. ; Lourdudoss, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-10-15), Heft 21, S. 3151-3155
    Online academicJournal
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    Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD
    Grzegorczyk, A.P. ; Hageman, P.R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 283 (2005-09-15), Heft 1/2, S. 72-80
    Online academicJournal
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    Reversible covalent chemistry of carbon dioxide unlocks the recalcitrance of cellulose for its enzymatic saccharification.
    Gan, Jianyun ; Peng, Ya ; et al.
    In: Bioresource Technology, Jg. 295 (2020), S. N.PAG
    Online academicJournal
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