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    Modelling the photoemission characteristics of exponential structure AlxGa1-xN nanowire array cathode under internal/external field
    Lu, Feifei ; Liu, Lei ; et al.
    In: Optical Materials ; volume 128, page 112435 ; ISSN 0925-3467, 2022
    academicJournal
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    The effects of Ag+ and Al3+ substitution in (Cu1-xAgx)(In1-x Alx)S2 chalcopyrite nanoparticles synthesized by hydrothermal method: Study of microstructures and optical properties
    Rahimi, Said ; Mirkazemi, S. Mohammad ; et al.
    In: Optical and Quantum Electronics ; volume 53, issue 2 ; ISSN 0306-8919 1572-817X, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Microhardness, wear resistance, and corrosion resistance of AlxCrFeCoNiCu high-entropy alloy coatings on aluminum by laser cladding
    Li, Yanzhou ; Shi, Yan
    In: Optics & Laser Technology ; volume 134, page 106632 ; ISSN 0030-3992, 2021
    academicJournal
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    Band alignment transition from type I to type II in GaAs / AlxGa1-x As quantum ring
    Sellami, Rihab ; Ben Mansour, Afef ; et al.
    In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures ; volume 126, page 114476 ; ISSN 1386-9477, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analytic formulas and numerical simulations for non-uniform AlxGa1-xN nanostructure on electro-optical properties for UV Photodetectors
    Lv, Zhisheng ; Liu, Lei ; et al.
    In: Optics Communications ; volume 486, page 126799 ; ISSN 0030-4018, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimized design of gradient Al component AlxGa1-xN nanostructure with hexagonal periodic arrangement for enhanced optical absorption of ultraviolet photodetectors
    Lv, Zhisheng ; Liu, Lei ; et al.
    In: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications ; volume 43, page 100885 ; ISSN 1569-4410, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of the electric field in glow discharge plasma sheath on the optoelectronic properties of the AlxZn1-xO thin films
    Amini, A. ; Zakerhamidi, M.S. ; et al.
    In: Optik ; volume 239, page 166772 ; ISSN 0030-4026, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Theoretical investigations on structural, electronic and optical properties of wurtzite AlxGa1-xN (x=0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1)
    Yu, Ang-yang
    In: Optik ; volume 203, page 164035 ; ISSN 0030-4026, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Induced dielectric behavior in high dense AlxLa1-xTiO3 (x = 0.2–0.8) nanospheres
    Dastagiri, S. ; Lakshmaiah, M. V. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 30, issue 22, page 20253-20264 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An ab initio study of the structural and optoelectronic properties of AlxGa1−xN (x = 0, 0.125, 0.375, 0.625, 0.875, and 1) semiconductors
    Kafi, A. ; Driss Khodja, F. ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics ; volume 19, issue 1, page 26-37 ; ISSN 1569-8025 1572-8137, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Evaluation of spontaneous superlattice ordering in MOCVD grown AlxGa1-xAs epilayer on GaAs (100) using X-ray reflectivity and rocking curve analysis
    Maitra, T. ; Pradhan, A. ; et al.
    In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures ; volume 106, page 357-362 ; ISSN 1386-9477, 2019
    academicJournal
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    Study of GaN/AlGaN photocathode with variable aluminum AlxGa1−xN material in emission layer
    Fu, Xiaoqian ; Li, Yang ; et al.
    In: Optik ; volume 158, page 363-367 ; ISSN 0030-4026, 2018
    academicJournal
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    Performance of the structure AlxGa1-xAs1-yNy/Ge for solar cell applications
    Bellil, W. ; Aissat, A. ; et al.
    In: Optik ; volume 171, page 803-808 ; ISSN 0030-4026, 2018
    academicJournal
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    Fractal size, occupied fraction study with annealing of heterostructure based AlxGa1−xN
    Zeybek, O. ; Ayaz, A. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 29, issue 3, page 2040-2044 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2017
    academicJournal
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    Assessment of refractive index changes by spectral reflectance in the first stages of AlxGa1−xN layer growth using SiN treatment
    Benzarti, Z. ; Khelifi, M. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 27, issue 6, page 6336-6346 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2016
    academicJournal
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    Alx(Sn2Se3)1−x phase change films for high-temperature data retention and fast transition speed application
    Hu, Yifeng ; Zhu, Xiaoqin ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 26, issue 10, page 7757-7762 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2015
    academicJournal
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    Comparative research on reflection-mode GaAs photocathode with graded AlxGa1−xAs buffer layer
    Chen, Liang ; Shen, Yang ; et al.
    In: Optics Communications ; volume 355, page 186-190 ; ISSN 0030-4018, 2015
    academicJournal
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    Energy gaps, charge distribution and optical properties of AlxIn1−xSb ternary alloys
    Fares, Nour El-Houda ; Bouarissa, Nadir
    In: Infrared Physics & Technology ; volume 71, page 396-401 ; ISSN 1350-4495, 2015
    academicJournal
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    Study of lattice deformation and atomic bond length for AlxGa1−xN epi-layers with synchrotron radiation X-ray absorption spectroscopy
    Wang, Shuchang ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 25, issue 11, page 4800-4805 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2014
    academicJournal
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    Effects of incident-light-intensity-dependent band gap narrowing on barrier heights of p-doped AlxGa1−xAs/GaAs heterojunction devices
    Pitigala, P.K.D.D.P. ; Lao, Y.F. ; et al.
    In: Infrared Physics & Technology ; volume 63, page 193-197 ; ISSN 1350-4495, 2014
    academicJournal
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