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    Studying the Effect of Electrically Active Impurities Coming from Trimethylgallium Synthesized by Different Means on the Electrophysical Characteristics of Gallium Arsenide Epitaxial Layers.
    Revin, M. V. ; Kotkov, A. P. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-12-25), Heft 15, S. 1947-1952
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Use of tertiarybutylarsine for GaAs growth.
    Chen, C. H. ; Larsen, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-26), Heft 4, S. 218-220
    Online academicJournal
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