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    Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
    Wang Y (Wang Y.) ; Chen NF (Chen N. F.) ; et al.
    2010
    report
    Wie komme ich dran?
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    Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
    Misuraca J (Misuraca Jennifer) ; Trbovic J (Trbovic Jelena) ; et al.
    2010
    report
    Wie komme ich dran?
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    Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
    Zhang, YJ ; Chang, BK ; et al.
    2009
    report
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Interface of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors
    Li RY (Li R. Y.) ; Wang ZG (Wang Z. G.) ; et al.
    2007
    report
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Study of persistent photoconductivity and subband electronic properties of the two-dimensional electron gas in modulation doped GaAs/AlGaAs structure
    Shu, Q ; Shu, YC ; et al.
    2006
    report
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE
    Lu, LW ; Zhang, YH ; et al.
    2002
    report
    Wie komme ich dran?

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