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    X-ray characterization of composition and relaxation of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N(0≤x≤1) layers grown on GaN/sapphire templates by low pressure organometallic vapor phase epitaxy.
    Tweedie, James ; Collazo, Ramon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-09-01), Heft 4, S. 43526-43531
    Online academicJournal
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    Morphology and microstructure evolution of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N epilayers grown on GaN/sapphire templates with AlN interlayers observed by transmission electron microscopy.
    Lu, L. ; Shen, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-06-01), Heft 11, S. 113510-113513
    Online academicJournal
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    GaN quantum dots grown on Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
    Hori, Y. ; Oda, O. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-07-15), Heft 2, S. 24311-24316
    Online academicJournal
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    Magnetotransport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN heterostructures grown on epitaxial lateral overgrown GaN templates.
    Biyikli, N. ; Ni, X. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-06-01), Heft 11, S. 113710-113717
    Online academicJournal
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    Bandgap engineering of α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by a mist chemical vapor deposition two-chamber system and verification of Vegard's Law.
    Dang, G. T. ; Yasuoka, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-08-06), Heft 6, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    The Effect of Bismuth on the Structural Perfection and the Luminescent Properties of Thin-Film Elastically Stressed Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1-x-y</subscript>Bi<subscript>z</subscript>Sb<subscript>1-z</subscript>/GaSb Heterostructures.
    Alfimova, D. L. ; Lunina, M. L. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 60 (2018-07-01), Heft 7, S. 1280-1286
    Online academicJournal
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    Occupancy level of the DX center in Te-doped AlxGa1-xSb.
    Baraldi, A. ; Ghezzi, C.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999), Heft 1, S. 256-263
    Online academicJournal
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    Optical properties of Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1-x</subscript>P ternary semiconductor alloys.
    Mezrag, Fadila ; Bouarissa, Nadir
    In: Journal of Computational Methods in Sciences & Engineering, Jg. 18 (2018), Heft 1, S. 299-305
    academicJournal
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    Low temperature photoluminescence study in AlxGa1-xAs alloys in the indirect band gap region (x>=0.4).
    Torres-Delgado, G. ; Castanedo-Perez, R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-10-15), Heft 8, S. 5090-5097
    Online academicJournal
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    Structural characterization of lattice matched AlxIn1-xAs/InP and GayIn1-yAs/InP heterostructures by transmission electron microscopy and high-resolution x-ray diffraction.
    Carlino, E. ; Giannini, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-08-15), Heft 4, S. 2403-2410
    Online academicJournal
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    Low-frequency noise measurements of AlxGa1-xAs/InyGa1-y As/GaAs high electron mobility transistors.
    Haddab, Y. ; Deveaud, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-08-15), Heft 4, S. 2509-2514
    Online academicJournal
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    Magneto-photoluminescence of acceptors near the interfaces of AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs heterostructures.
    Zhu, J. B. ; Jeon, H. I. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-08-01), Heft 3, S. 1975-1979
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    In situ reflectance anisotropy studies of AlxGa1-xAs layers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy.
    Morris, S. J. ; Zettler, J.-Th. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-04-01), Heft 7, S. 3115-3120
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    The effect of aluminum mole fraction on the surface microroughness and morphology of AlxGa1-xAs grown at low temperature by molecular beam epitaxy.
    Fatt, Yoon Soon
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993-04-01), Heft 7, S. 3261-3265
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    Effect of annealing temperature on the hole concentration and lattice relaxation of carbon-doped GaAs and AlxGa1-xAs.
    Höfler, G. E. ; Höfler, H. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-12-01), Heft 11, S. 5318-5324
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    Oxygen-induced Al surface segregation in AlxGa1-xAs and the effect of Y overlayers on the oxidation of the Y/AlxGa1-xAs interface.
    Mesarwi, A. ; Ignatiev, A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 71 (1992-02-15), Heft 4, S. 1943-1948
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    Defect-free growth of AlxGa1-xAs by liquid-phase epitaxy on V-grooved (001) GaAs substrates.
    Rechenberg, I. ; Stoeff, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-06-15), Heft 12, S. 8154-8157
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    Low-temperature operating life of continuous 300-K AlxGa1-xAs-GaAs quantum-well heterostructure lasers grown on Si.
    Hall, D. C. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-05-15), Heft 10, S. 6844-6849
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    Native defects in the AlxGa1-xSb alloy semiconductor.
    Ichimura, M. ; Higuchi, K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-12-15), Heft 12, S. 6153-6158
    Online academicJournal
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    DX centers in Si-doped AlxGa1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Okamoto, K. ; Koizumi, H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-08-15), Heft 4, S. 1669-1673
    Online academicJournal
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