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    Effect of aluminum substitution on physical–chemical properties of novel iron-sillenite Bi<subscript>25</subscript>Fe<subscript>(1−x)</subscript>Al<subscript>x</subscript>O<subscript>40</subscript> (x = 0.00, 0.20, 0.50).
    Jebari, H. ; Boudad, L. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 130 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Engineering Monoclinic (AlxInyGa1-x-y)2O3 for Ultraviolet Photodetector
    Liu, Xiaoli ; Tan, Chee-Keong
    In: 2019 IEEE Photonics Conference (IPC), 2019-09-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    First-Principle Electronic Properties of Monoclinic (AlxInyGa1-x-y)2O3 Alloys
    Liu, Xiaoli ; Tan, Chee-Keong
    In: 2019 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2019-07-01, S. 119-120
    Online Konferenz
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    Alloy splitting of the Fe<subscript>Ga</subscript> acceptor level in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Kruszewski, P. ; Markevich, V. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-11-27), Heft 22, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Characteristics of quaternary AlxInyGa(1−x−y)N/ InGaN heterostructure varying the composition of aluminium and indium
    Sara, Kamatol Hasnat ; Islam, Monami ; et al.
    In: 2015 International Conference on Electrical & Electronic Engineering (ICEEE), 2015-11-01, S. 125-128
    Online Konferenz
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    academicJournal
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    Analysis and design of directional couplers based on AlxGa1−xAs by using an efficient neural networks: A design tool simulation implemented in C/C++
    Abreu-Cerqueira, Tadeu ; Dourado-Sisnando, Anderson ; et al.
    In: 2011 SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference (IMOC 2011), 2011-10-01, S. 881-885
    Online Konferenz
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    A study of the damage on FIB-prepared TEM samples of AlxGa1-xAs.
    Yabuuchi, Y ; Tametou, S ; et al.
    In: Journal of electron microscopy, Jg. 53 (2004), Heft 5, S. 471-7
    Online academicJournal
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    Characterization of band offset in α-(AlxGa1-x)2O3/ α-Ga2O3 heterostructures
    Uchida, Takayuki ; Jinno, Riena ; et al.
    In: 2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 2016-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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    STRUCTURAL AND MICROESTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF Al<subscript>X</subscript>Ti<subscript>3-X</subscript> TITANIUM - BASE ALUMINIUM ALLOYS.
    PENTÓN-MADRIGAL, A. ; DOS SANTOS-BRANCO, A. ; et al.
    In: Revista Cubana de Física, Jg. 39 (2022-07-01), Heft 1, S. 37-43
    Online academicJournal
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    Characteristics of (Cr1−x, Alx) N films prepared by pulsed laser deposition
    Hirai, M. ; Ueno, Y. ; et al.
    In: 2000 13th International Conference on High-Power Particle Beams, 2000-06-01, S. 617-620
    Konferenz
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    academicJournal
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    Bulk single crystals and physical properties of β-(AlxGa1-x)2O3(x = 0-0.35) grown by the Czochralski method
    Galazka, Zbigniew ; Fiedler, Andreas ; et al.
    In: Journal of applied physics : AIP's archival journal for significant new results in applied physics 133 (2023), Nr. 3, 2023
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Comparative EIS Study of AlxCoCrFeNi Alloys in Ringer’s Solution for Medical Instruments
    Socorro-Perdomo, Pedro P. ; Florido-Suárez, Néstor R. ; et al.
    In: Metals, Jg. 11 (2021-06-01), Heft 6, S. 928
    Online academicJournal
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    Boost in room temperature thermoelectric performance of PbSe:Al<subscript>x</subscript> through band modification and low densification.
    Gayner, Chhatrasal ; Sharma, Raghunandan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-21), Heft 15, S. 1-11
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    Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers.
    Rodrigues, J. ; Fialho, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-08-28), Heft 8, S. 81701-1- (11S.)
    Online academicJournal
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    Improved Analog Performance of PZT Ferroelectric AlGaN/AlN/GaN E-Mode GR-MOSHEMT
    Khan, Abdul Naim ; Chauhan, Meenakshi ; et al.
    In: 2022 IEEE Delhi Section Conference (DELCON), 2022-02-11, S. 1-5
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    Observation of GaAs--AlxGa1--xAs heterostructures and quantum-well-wire structures using backscattered electron image.
    Hirayama, Y ; Okamoto, H
    In: Journal of electron microscopy technique, Jg. 12 (1989-05-01), Heft 1, S. 60-4
    academicJournal
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    Theoretical determination of the favorable mechanism of the reaction between AlX and HX (X = Br, Cl, and F)
    Cherkaoui, Mustapha ; Boutalib, Abderrahim
    In: Open Chemistry, Jg. 7 (2009), Heft 3, S. 328-336
    Online academicJournal
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