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255 Treffer

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    Optical and Electrical Properties of AlxGa1−xN/GaN Epilayers Modulated by Aluminum Content
    Wei, Wenwang ; Yang, Yanlian ; et al.
    In: Molecules, Jg. 29 (2024-03-01), Heft 5, S. 1152
    Online academicJournal
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    Nonpolar Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>N multiple quantum wells on GaN nanowire for UV emission
    Adhikari, Sonachand ; Lem, Olivier Lee Cheong ; et al.
    In: Nano Research, Jg. 15 (2022-08-01), Heft 8, S. 7670-7680
    Online academicJournal
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    Hole Generation in Polarization‐Doped AlxGa1–xN (x = 0.9–0.35)‐Graded Layer with Heavily Mg‐Doped Al0.35Ga0.65N Contact Layer for 275 nm Deep‐Ultraviolet Light‐Emitting Diode.
    Takahata, Hayata ; Kachi, Tomoaki ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, 2024-06-05, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Impact of AlGaN barrier layer on DC and AC characteristics of AlxGa1−xN/GaN MOSHEMT
    Tiwari, Nishi ; Gupta, Suraj Kumar ; et al.
    In: 2017 1st International Conference on Electronics, Materials Engineering and Nano-Technology (IEMENTech), 2017-04-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Role of Interface Induced Gap States in Polar Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (0 ≤ x ≤ 1) Schottky Diodes
    Jadhav, Aakash ; Dai, Yijun ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-06-01), Heft 6, S. 3731-3738
    Online academicJournal
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    Self-Organization of the Composition of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript> <subscript>x</subscript>N Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates
    Kukushkin, S. A. ; Sharofidinov, Sh. Sh. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 63 (2021-03-01), Heft 3, S. 442-448
    Online academicJournal
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    AlGaN solar-blind ultraviolet avalanche photodiodes with a p-graded AlxGa1-xN layer and high/low Al-content AlGaN multiplication layer
    Xie, F. ; Yan, R. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 127 (2021-06-01), Heft 6
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    AlxGa1−xN Ultraviolet Avalanche Photodiodes With Avalanche Gain Greater Than $10^{5}$
    Kim, J. ; Ji, M. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 27 (2015-03-15), Heft 6, S. 642-642
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    The Structural Quality of AlxGa1-xN Epitaxial Layers Grown by Digitally-AlloyedModulated Precursor Epitaxy Determined by Transmission Electron Microscopy
    Hawkridge, Michael E
    2009
    academicJournal
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    Effect of AlN/GaN supercycle ratio on properties of AlxGa1−xN films using super-cycle plasma enhanced atomic layer deposition.
    Zhang, Zhi-Xuan ; Ren, Fang-Bin ; et al.
    In: Journal of Alloys & Compounds, Jg. 970 (2024-01-05), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Validation of Vegard’s Law for Lattice Matching InxAl1-xN to GaN & The MOCVD Growth of AlxGa1-xN/AlN for Deep UV LEDs
    Foronda, Humberto Miguel
    2017
    unknown
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    Electrical and optical characterization studies of lower dose Si-implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N
    Ryu, Mee-Yi ; Yeo, Y. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 35 (2006-04-01), Heft 4, S. 647-653
    Online academicJournal
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    Solar-blind MSM-photodetectors based on Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N heterostructures
    Averin, Stanislav V. ; Kuznetzov, Petr I. ; et al.
    In: Optical and Quantum Electronics, Jg. 39 (2007-02-01), Heft 3, S. 181-192
    Online academicJournal
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    Molecular Beam Epitaxy Growth and Characterization of Germanium-Doped Cubic AlxGa1−xN
    Deppe, Michael ; Henksmeier, Tobias ; et al.
    In: Physica status solidi : B, Basic research 257 (2020), Nr. 4, 2020
    academicJournal
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    Low-noise solar-blind Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
    Li, Ting ; Lambert, D. J. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-07-01), Heft 7, S. 872-877
    Online academicJournal
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    SIMS investigations into the effect of growth conditions on residual impurity and silicon incorporation in GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N
    Parish, G. ; Keller, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 15-20
    Online academicJournal
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    Low Al-content n-type AlxGa1−xN layers with a high-electron-mobility grown by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition
    Stanishev, Vallery ; Armakavicius, Nerijus ; et al.
    In: Vacuum; 217, no 112481 (2023) ; ISSN: 0042-207X, 2023
    academicJournal
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    Molecular Beam Epitaxy Growth and Characterization of Germanium‐Doped Cubic Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>N.
    Deppe, Michael ; Henksmeier, Tobias ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 257 (2020-04-01), Heft 4, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Defect formation and optical activation of Tb implanted AlxGa1−xN films using channeled implantation at different temperatures
    Fialho, M. ; Magalhães, S. ; et al.
    2018
    Online academicJournal
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    Electronic excitations induced climb of dislocations in swift heavy ion irradiated AlN and AlxGa1−xN.
    Sall, M. ; Moisy, F. ; et al.
    In: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B, Jg. 435 (2018-11-15), S. 116-120
    Online academicJournal
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