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    Optical and Electrical Properties of AlxGa1−xN/GaN Epilayers Modulated by Aluminum Content
    Wei, Wenwang ; Yang, Yanlian ; et al.
    In: Molecules, Jg. 29 (2024-03-01), Heft 5, S. 1152
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    Nonpolar Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>N multiple quantum wells on GaN nanowire for UV emission
    Adhikari, Sonachand ; Lem, Olivier Lee Cheong ; et al.
    In: Nano Research, Jg. 15 (2022-08-01), Heft 8, S. 7670-7680
    Online academicJournal
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    Hole Generation in Polarization‐Doped AlxGa1–xN (x = 0.9–0.35)‐Graded Layer with Heavily Mg‐Doped Al0.35Ga0.65N Contact Layer for 275 nm Deep‐Ultraviolet Light‐Emitting Diode.
    Takahata, Hayata ; Kachi, Tomoaki ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, 2024-06-05, S. 1-7
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    Impact of AlGaN barrier layer on DC and AC characteristics of AlxGa1−xN/GaN MOSHEMT
    Tiwari, Nishi ; Gupta, Suraj Kumar ; et al.
    In: 2017 1st International Conference on Electronics, Materials Engineering and Nano-Technology (IEMENTech), 2017-04-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Role of Interface Induced Gap States in Polar Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (0 ≤ x ≤ 1) Schottky Diodes
    Jadhav, Aakash ; Dai, Yijun ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-06-01), Heft 6, S. 3731-3738
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    Self-Organization of the Composition of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript> <subscript>x</subscript>N Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates
    Kukushkin, S. A. ; Sharofidinov, Sh. Sh. ; et al.
    In: Physics of the Solid State, Jg. 63 (2021-03-01), Heft 3, S. 442-448
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    AlGaN solar-blind ultraviolet avalanche photodiodes with a p-graded AlxGa1-xN layer and high/low Al-content AlGaN multiplication layer
    Xie, F. ; Yan, R. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 127 (2021-06-01), Heft 6
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    AlxGa1−xN Ultraviolet Avalanche Photodiodes With Avalanche Gain Greater Than $10^{5}$
    Kim, J. ; Ji, M. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 27 (2015-03-15), Heft 6, S. 642-642
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    The Structural Quality of AlxGa1-xN Epitaxial Layers Grown by Digitally-AlloyedModulated Precursor Epitaxy Determined by Transmission Electron Microscopy
    Hawkridge, Michael E
    2009
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