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    Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane
    Sundaram, V. S. ; Fraas, L. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
    Online academicJournal
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    High C-doping of MOVPE grown thin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices
    Dimroth, F. ; Schubert, U. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 47-52
    Online academicJournal
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    Dopant incorporation in GaAs and AlGaAs grown by MOMBE for high speed devices
    Abernathy, C. R. ; Ren, F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 323-327
    Online academicJournal
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    Carbon tetrachloride doped Al<subscript> x </subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Cunningham, B. T. ; Baker, J. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-01), Heft 4, S. 331-335
    Online academicJournal
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