Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
8 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Sprache

Inhaltsanbieter

8 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Magnesium diffusion profile in GaN grown by MOVPE
    Benzarti, Z. ; Halidou, I. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-07-01), Heft 14, S. 3274-3277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN from trimethylgallium and tertiarybutylhydrazine
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 252 (2003-05-01), Heft 1-3, S. 144-151
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Self-catalyzed GaP nanowire MOVPE growth on Si.
    Krug, David ; Glowatzki, Johannes ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 609 (2023-05-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor.
    Hubáček, T. ; Hospodková, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 531 (2020-02-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Properties of MOVPE GaN grown on ZnO deposited on Si(001) and Si(111) substrates
    Paszkiewicz, R. ; Paszkiewicz, B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-11-15), Heft 23, S. 4891-4895
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    The kinetics of parasitic growth in GaAs MOVPE
    Clayton, A.J. ; Irvine, S.J.C.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 300 (2007-03-15), Heft 2, S. 277-283
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A new MOVPE reactor for heteroepitaxial GaAs deposition on large-scale Ge substrates
    Pelosi, C. ; Attolini, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 287 (2006-01-25), Heft 2, S. 652-655
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ga assisted in situ etching of AlGaInAs and InGaAsP multi quantum well structures using tertiarybutylchloride
    Codato, S. ; Campi, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 282 (2005-08-15), Heft 1/2, S. 7-17
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -