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    Formation of polymers in TMGa/NH<subscript>3</subscript>/H<subscript>2</subscript> system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 289 (2006-04-01), Heft 2, S. 428-432
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    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 248 (2003-02-01), Heft 1-4, S. 119-123
    Online academicJournal
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    Metalorganic vapor-phase epitaxial growth simulation to realize high-quality and high-In-content InGaN alloys.
    Ohkawa, Kazuhiro ; Ichinohe, Fumitaka ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 512 (2019-04-15), S. 69-73
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 509 (2019-03-01), S. 87-90
    Online academicJournal
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    Fabrication of submicron active-region-buried GaN hexagonal frustum structures by selective area growth for directional micro-LEDs.
    Kumagai, Naoto ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 437-441
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
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    Growth mechanism of atmospheric pressure MOVPE of GaN and its alloys: gas phase chemistry and its impact on reactor design
    Matsumoto, Koh ; Tachibana, Akitomo
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), Heft 1-4, S. 360-369
    Online academicJournal
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    In situ study of GaAs growth mechanisms using tri-methyl gallium and tri-ethyl gallium precursors in metal-organic vapour phase epitaxy
    Pristovsek, M. ; Zorn, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 262 (2004-02-15), Heft 1-4, S. 78-83
    Online academicJournal
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    Accelerated GaAs growth through MOVPE for low-cost PV applications.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 489 (2018-05-01), S. 63-67
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    Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 7-11
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    High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 209-213
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    MOVPE of n-doped GaAs and modulation doped GaAs/AlGaAs nanowires
    Sladek, K. ; Klinger, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-02-15), Heft 5, S. 635-640
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    Selective-area growth of GaAs and InAs nanowires—homo- and heteroepitaxy using templates
    Paetzelt, H. ; Gottschalch, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-11-15), Heft 23, S. 5093-5097
    Online academicJournal
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