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49 Treffer

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    Z 2 -FET memory matrix in 28 nm FDSOI technology
    Parihar, Mukta Singh ; Lee, Kyung Hwa ; et al.
    In: 2018 EUROSOI-ULIS Proceedings ; 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) ; https://hal.science/hal-02007264 ; 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Mar 2018, Granada, Spain. pp.9-12, ⟨10.1109/ULIS.2018.8354341⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    MSDRAM, A2RAM and Z 2 -FET performance benchmark for 1T-DRAM applications
    Lacord, Joris ; Parihar, Mukta Singh ; et al.
    In: 2018 SISPAD Proceedings ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; https://hal.science/hal-02007274 ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2018, Austin, United States. pp.198-201, ⟨10.1109/SISPAD.2018.8551674⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Evidence of fast and low-voltage A2RAM ‘1’ state programming
    Wakam, Francois Tcheme ; Lacord, Joris ; et al.
    In: 2018 SISPAD Proceedings ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; https://hal.science/hal-02007657 ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2018, Austin, United States. pp.115-118, ⟨10.1109/SISPAD.2018.8551653⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Z²-FET DC hysteresis: deep understanding and preliminary model
    Lacord, J. ; Martinie, S. ; et al.
    In: SISPAD 2017 ; https://cea.hal.science/cea-02270891 ; SISPAD 2017, Sep 2017, Kamakura, Japan, 2017
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ultra-low power 1T-DRAM in FDSOI technology
    El Dirani, H. ; Parihar, M.S. ; et al.
    In: 20th International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2017) ; https://hal.science/hal-02071682 ; 20th International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2017), Jun 2017, Potsdam, Germany, 2017
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Z²-FET DC hysteresis: deep understanding and preliminary model
    Lacord, J. ; Martinie, S. ; et al.
    In: SISPAD 2017 ; https://cea.hal.science/cea-02270891 ; SISPAD 2017, Sep 2017, Kamakura, Japan, 2017
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Z 2 -FET DC hysteresis: Deep understanding and preliminary model
    Lacord, J. ; Martinie, Sebastien ; et al.
    In: 2017 SISPAD Proceedings ; 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; https://hal.science/hal-02007145 ; 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2017, Kamakura, Japan. pp.321-324, ⟨10.23919/SISPAD.2017.8085329⟩, 2017
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Optimization guidelines of A2RAM cell performance through TCAD simulations
    Wakam, F. Tcheme ; Lacord, J. ; et al.
    In: 2017 SISPAD Proceedings ; 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; https://hal.science/hal-02007238 ; 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2017, Kamakura, Japan. pp.329-332, ⟨10.23919/SISPAD.2017.8085331⟩, 2017
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Z²-FET DC hysteresis: deep understanding and preliminary model
    Lacord, J. ; Martinie, S. ; et al.
    In: SISPAD 2017 ; https://cea.hal.science/cea-02270891 ; SISPAD 2017, Sep 2017, Kamakura, Japan, 2017
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Z²-FET DC hysteresis: deep understanding and preliminary model
    Lacord, J. ; Martinie, S. ; et al.
    In: SISPAD 2017 ; https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02270891 ; SISPAD 2017, Sep 2017, Kamakura, Japan, 2017
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Novel FDSOI band-modulation device: Z 2 -FET with Dual Ground Planes
    El Dirani, H. ; Fonteneau, P. ; et al.
    In: 2016 ESSDERC Proceedings ; 2016 ESSDERC - 46th European Solid-State Device Research Conference ; https://hal.science/hal-02006273 ; 2016 ESSDERC - 46th European Solid-State Device Research Conference, Sep 2016, Lausanne, Switzerland. pp.210-213, ⟨10.1109/ESSDERC.2016.7599623⟩, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Competitive 1T-DRAM in 28 nm FDSOI technology for low-power embedded memory
    Dirani, H. El ; Bawedin, M. ; et al.
    In: 2016 S3S Proceedings ; 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S) ; https://hal.science/hal-02006297 ; 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2016, Burlingame, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/S3S.2016.7804402⟩, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    FDSOI devices: Issues and innovative solutions
    Cristoloveanu, Sorin ; Bawedin, Maryline ; et al.
    In: 2016 ESSDERC Proceedings ; 2016 ESSDERC - 46th European Solid-State Device Research Conference ; https://hal.science/hal-02006285 ; 2016 ESSDERC - 46th European Solid-State Device Research Conference, Sep 2016, Lausanne, Switzerland. pp.117-120, ⟨10.1109/ESSDERC.2016.7599602⟩, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultra-low power 1T-DRAM in FDSOI technology
    El Dirani, H. ; Parihar, M.S. ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Extended Analysis of the $Z^{2}$ -FET: Operation as Capacitorless eDRAM
    Navarro, Carlos ; Lacord, Joris ; et al.
    In: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-02006362 ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (11), pp.4486-4491. ⟨10.1109/TED.2017.2751141⟩, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Z 2 -FET memory matrix in 28 nm FDSOI technology
    Parihar, Mukta Singh ; Lee, Kyung Hwa ; et al.
    In: 2018 EUROSOI-ULIS Proceedings ; 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) ; https://hal.science/hal-02007264 ; 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Mar 2018, Granada, Spain. pp.9-12, ⟨10.1109/ULIS.2018.8354341⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    MSDRAM, A2RAM and Z 2 -FET performance benchmark for 1T-DRAM applications
    Lacord, Joris ; Parihar, Mukta Singh ; et al.
    In: 2018 SISPAD Proceedings ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; https://hal.science/hal-02007274 ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2018, Austin, United States. pp.198-201, ⟨10.1109/SISPAD.2018.8551674⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Evidence of fast and low-voltage A2RAM ‘1’ state programming
    Wakam, Francois Tcheme ; Lacord, Joris ; et al.
    In: 2018 SISPAD Proceedings ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; https://hal.science/hal-02007657 ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2018, Austin, United States. pp.115-118, ⟨10.1109/SISPAD.2018.8551653⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Z 2 -FET memory matrix in 28 nm FDSOI technology
    Parihar, Mukta Singh ; Lee, Kyung Hwa ; et al.
    In: 2018 EUROSOI-ULIS Proceedings ; 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) ; https://hal.science/hal-02007264 ; 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Mar 2018, Granada, Spain. pp.9-12, ⟨10.1109/ULIS.2018.8354341⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MSDRAM, A2RAM and Z 2 -FET performance benchmark for 1T-DRAM applications
    Lacord, Joris ; Parihar, Mukta Singh ; et al.
    In: 2018 SISPAD Proceedings ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) ; https://hal.science/hal-02007274 ; 2018 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2018, Austin, United States. pp.198-201, ⟨10.1109/SISPAD.2018.8551674⟩, 2018
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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