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    以三甲基鎵/第三丁基聯胺之有機金屬化學氣相沉積系統合成直列式氮化鎵奈米線之研究 ; Synthesis of vertically-aligned GaN nanorods using TMGa/TBHy MOCVD system
    黃珮珊
    2009
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    以第三丁基聯胺/三甲基鎵有機金屬化學氣相沉積系統在不同基材上成長氮化鎵一維奈米線之研究 ; Synthesis of GaN Nanowires on Different Substrates by TMGa-TBHy MOCVD System
    曾士恩
    2008
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    利用計算流體力學模擬氮化鎵2維/3維 之金屬有機化學氣相沉積產物 ; 2D/3D CFD Simulation of Metal Oxide Chemical Vapor Deposition (MOCVD) of GaN
    陳瑞祥 ; Chen, Ruei-Shiang ; et al.
    2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    氮化鎵系列發光二極體於磊晶品質及元件效能之提升 ; The Performance Improvement on GaN-based Light-Emitting-Diodes in Epitaxial Quality and Efficiency of Device
    張宏銘 ; Chang, Hung-Ming ; et al.
    2016
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    以有機化學氣相沉積法成長氧化鋅摻雜鎵之透明導電薄膜其特性及元件應用之研究 ; Characteristics and device applications of Ga-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD
    殷振揚 ; Yin, Chen-Yang ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    以有機化學氣相沉積法成長氧化鋅摻雜鎵之透明導電薄膜其特性及元件應用之研究 ; Characteristics and device applications of Ga-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD
    殷振揚 ; Yin, Chen-Yang ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    以有機金屬化學氣相沉積技術合成氮化鎵結構之研究 ; Synthesis of GaN Structures Using MOCVD Technique
    魏士軒
    2007
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    氣相合成一維氮化鎵奈米結構之研究 ; Growth of one dimensional GaN nanostructure by using chemical vapor deposition
    黃松建
    2006
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    圓盤狀氮化鎵自組性量子點之結構與光譜研究 ; Structure and optical spectroscopy studies of self-organized disk-like GaN dots
    黃佳進 ; Huang, Chia-Chin ; et al.
    2004
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    寬能隙銻化物與氮化物之磊晶成長、特性分析與元件研製 ; Growths and Characterizations of Wide-Bandgap III-Antimonide and III-Nitride Epilayers and Their Device Structures
    歐震 ; Ou, Jehn ; et al.
    1998
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    以穿透式電子顯微鏡研究氮化鎵薄膜之結構和缺陷 ; Structure and Defect of GaN Studied by Transmission Electron Microscopy
    林睫修 ; Lin, Chieh Hsiu ; et al.
    1996
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    氮化鎵二極體電性與缺陷分析 ; Analysis on Deep Level And Electrical Characteristic of Schottky Diode on GaN
    黃文彥 ; Huang, Wen-Yen ; et al.
    1995
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    規則排列氮化銦鎵/氮化鎵量子井奈米柱陣列生長及特性分析 ; Growth and Characterization of Regularly Patterned InGaN/GaN Quantum-well Nanorod Arrays
    廖哲浩 ; Liao, Che-Hao ; et al.
    2012
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    使用有機金屬氣相沉積及分子束磊晶技術成長三五族氮化物半導體 ; Growths of III-V Nitride Semiconductors with the Techniques of Metalorganic Vapor Phase Deposition and Molecular Beam Epitaxy
    黃政傑 ; Huang, Jeng-Jie ; et al.
    2011
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

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