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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, JP ; Zhang, BS ; et al.
    2004
    report
    Wie komme ich dran?
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    GaN生长速率的研究
    金瑞琴 ; 赵德刚 ; et al.
    2005
    report
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effect of trimethylgallium flow on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
    Zhang, JC ; Wang, JF ; et al.
    2004
    report
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    MOVPE growth of grade-strained bulk InGaAs/InP for broad-band optoelectronic device applications
    Wang, SR ; Wang, W ; et al.
    2004
    report
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A novel extremely broadband superluminescent diode based on symmetric graded tensile-strained bulk InGaAs
    Wang, SR ; Wang, W ; et al.
    2004
    report
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Metalorganic Chemical Vapor Deposition of GaNAs Alloy Using Dimethylhydrazine as Nitrogen Precursor
    Xin, Wei ; Xiaoyu, Ma ; et al.
    2002
    report
    Wie komme ich dran?

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