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5.047 Treffer

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    Body factor scaling in UTBB SOI with supercoupling effect
    Sasaki, K.R.A. ; Martino, J.A. ; et al.
    In: 2016 EUROSOI-ULIS Proceedings ; 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) ; https://hal.science/hal-02006211 ; 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Jan 2016, Vienna, Austria. pp.174-177, ⟨10.1109/ULIS.2016.7440081⟩, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    From 1.8V to 0.19V voltage bias on analog spiking neuron in 28nm UTBB FD-SOI technology
    Cinçon, V. ; Vatajelu, Elena Ioana ; et al.
    In: EUROSOI-ULIS 2020 ; https://hal.science/hal-03001733 ; EUROSOI-ULIS 2020, Sep 2020, Caen, France, 2020
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    From 1.8V to 0.19V voltage bias on analog spiking neuron in 28nm UTBB FD-SOI technology
    Cinçon, V. ; Vatajelu, Elena Ioana ; et al.
    In: EUROSOI-ULIS 2020 ; https://hal.science/hal-03001733 ; EUROSOI-ULIS 2020, Sep 2020, Caen, France, 2020
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    From 1.8V to 0.19V voltage bias on analog spiking neuron in 28nm UTBB FD-SOI technology
    Cinçon, V. ; Vatajelu, Elena Ioana ; et al.
    In: EUROSOI-ULIS 2020 ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03001733 ; EUROSOI-ULIS 2020, Sep 2020, Caen, France, 2020
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    From 1.8V to 0.19V voltage bias on analog spiking neuron in 28nm UTBB FD-SOI technology
    Cinçon, V. ; Vatajelu, Elena Ioana ; et al.
    In: EUROSOI-ULIS 2020 ; https://hal.science/hal-03001733 ; EUROSOI-ULIS 2020, Sep 2020, Caen, France, 2020
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Analytical Model for the Inversion Gate Capacitance of DG and UTBB MOSFETs at the Quantum Capacitance Limit
    Hiblot, Gaspard ; Rafhay, Quentin ; et al.
    In: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal.science/hal-01947637 ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (5), pp.1375-1382. ⟨10.1109/TED.2015.2406116⟩, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    UTBB FD-SOI Technology for Silicon-based Quantum Dots and Cryo-CMOS Electronics
    Kriekouki, I. ; Camirand Lemyre, J. ; et al.
    In: Silicon Quantum Electronics Workshop (SIQEW 2019) ; https://hal.science/hal-02440310 ; Silicon Quantum Electronics Workshop (SIQEW 2019), Oct 2019, San Sebastian, Spain, 2019
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    UTBB FD-SOI Technology for Silicon-based Quantum Dots and Cryo-CMOS Electronics
    Kriekouki, I. ; Camirand Lemyre, J. ; et al.
    In: Silicon Quantum Electronics Workshop (SIQEW 2019) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02440310 ; Silicon Quantum Electronics Workshop (SIQEW 2019), Oct 2019, San Sebastian, Spain, 2019
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Back-gate feedback for auto-calibration of analog and mixed cells in UTBB-FDSOI technology ; Auto-polarisation de la grille arrière pour auto-calibration de cellules analogiques et mixtes en technologie UTBB-FDSOI
    Wei, Zhaopeng ; Laboratoire de Polytech Nice-Sophia (Polytech'Lab) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02493990 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Côte d'Azur, 2019. English. ⟨NNT : 2019AZUR4033⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
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    Back-gate feedback for auto-calibration of analog and mixed cells in UTBB-FDSOI technology ; Auto-polarisation de la grille arrière pour auto-calibration de cellules analogiques et mixtes en technologie UTBB-FDSOI
    Wei, Zhaopeng ; Laboratoire de Polytech Nice-Sophia (Polytech'Lab) ; et al.
    In: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02493990 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Côte d'Azur, 2019. English. ⟨NNT : 2019AZUR4033⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility
    Nier, Olivier ; Rideau, Denis ; et al.
    In: ISSN: 1569-8025, 2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility
    Nier, Olivier ; Rideau, Denis ; et al.
    In: ISSN: 1569-8025, 2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility
    Nier, Olivier ; Rideau, Denis ; et al.
    In: ISSN: 1569-8025, 2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility
    Nier, Olivier ; Rideau, Denis ; et al.
    In: ISSN: 1569-8025, 2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility
    Nier, Olivier ; Rideau, Denis ; et al.
    In: ISSN: 1569-8025, 2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Multi-scale strategy for high-k/metal-gate UTBB-FDSOI devices modeling with emphasis on back bias impact on mobility
    Nier, Olivier ; Rideau, Denis ; et al.
    In: ISSN: 1569-8025, 2013
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
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    Volltext
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
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    Volltext
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
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    Developing ultrasensitive and CMOS compatible ISFETs in the BEOL of industrial UTBB FDSOI transistors ; Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI
    Ayele, Getenet Tesega ; INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-02402927 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2019. English. ⟨NNT : 2019LYSEI026⟩, 2019
    Online Hochschulschrift
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    Volltext
    Wie komme ich dran?

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