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9 Treffer

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    2种离子液体对水泥窑窑尾烟气CO_2吸收特性试验研究
    闫全英 ; 吕一帆 ; et al.
    2020
    report
    Wie komme ich dran?
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    GaN生长速率的研究
    金瑞琴 ; 赵德刚 ; et al.
    2005
    report
    Wie komme ich dran?
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    原子層磊晶技術應用在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井製作之研究 ; Preparation of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells by Atomic Layer Epitaxy Technique
    洪儒生
    2003
    report
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    氮化鎵氣相磊晶低溫化程序之開發---以聯胺系化合物取代氨氣的可行性探討及碳污染的控制策略 ; Low Temperature Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) of GaN-Effect of N/sub 2/H/sub 4/ Based Compounds in Place of NH/sub 3/ and Strategy of Carbon Contamination
    洪儒生
    2001
    Online report
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）
    陆大成 ; 段树坤
    2001
    report
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    GaN的MOCVD生长
    陆大成 ; 汪度 ; et al.
    1995
    report
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    於單晶矽基材上進行直列式氮化鎵奈米柱成長的製程開發 ; Development of Growth Process of Vertically Aligned GaN/Si Nanorod Arrays on Si Wafers for the Enhancement of GaN Devices Quantum Efficiency
    洪儒生
    2010
    report
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    於單晶矽基材上進行直列式氮化鎵奈米柱成長的製程開發 ; Development of Growth Process of Vertically Aligned GaN/Si Nanorod Arrays on Si Wafers for the Enhancement of GaN Devices Quantum Efficiency
    洪儒生
    2009
    report
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    高效率化合物半導體太陽電池磊晶技術開發 ; Development of the epitaxial high-efficiency compound semiconductor for Solar cell applications
    洪瑞華 ; 行政院原子能委員會 ; et al.
    2008
    Online report
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

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