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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T. ; Tobita, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 221 (2000), Heft 1, S. 212-219
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    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH~3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 124 (1992), Heft 1, S. 220-220
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    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 127 (1993), Heft 1, S. 1059-1059
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    Epitaxial growth of BGaAs and BGaInAs by MOCVD
    Geisz, J.F. ; Friedman, D.J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 225 (2001-05-01), Heft 2-4, S. 372-376
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    Electrical activation of carbon δ-doped (Al,Ga)As grown by metalorganic vapour-phase epitaxy
    Li, G. ; Petravić, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 173 (1997-04-01), Heft 3-4, S. 302-306
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    Characteristics of GaSb growth using various gallium and antimony precursors
    Wang, C.A. ; Salim, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 170 (1997), Heft 1-4, S. 55-60
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    The carbon doping mechanism in GaAs using trimethylgallium and trimethylarsenic
    Kohda, Hiroki ; Wada, Kazumi
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 167 (1996-10-01), Heft 3-4, S. 557-565
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